低温溅射铜锌锡硒太阳能电池

基本信息

申请号 CN201410013785.6 申请日 -
公开(公告)号 CN104779318A 公开(公告)日 2015-07-15
申请公布号 CN104779318A 申请公布日 2015-07-15
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马给民;保罗比蒂 申请(专利权)人 东莞日阵薄膜光伏技术有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 523808 广东省东莞市松山湖科技产业园区工业北四路松山湖工业大厦415、418室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型的,属于“锌黄锡矿”类的,“铜锌锡硒”薄膜太阳能电池,与“铜铟镓硒”薄膜太阳能电池的结构十分相近,但它对“铜,锌,锡,硒”的化学成分匹配更为严格,我们使用四元素陶瓷靶,一次性“低温溅射,后硒化”工艺制造的“铜锌锡硒”薄膜太阳能电池,在钠钙玻璃基板上镀有约0.35至1.0微米厚的钼薄膜,在钼薄膜层上镀上约0.7至1.5微米厚的“铜锌锡硒”薄膜,经退火后,结成晶体,在“铜锌锡硫”薄膜晶体上经“化学水浴沉积(CBD)”工艺,沉积“硫化镉”,建立“p-n结”薄膜区域;使用低温溅射,没有“硒”流失的弱点;对大面积,化学成分的均匀性及重复性生产有极大的优势,能促进批量生产。