一种焰熔法数控晶体生长炉
基本信息
| 申请号 | CN201711211207.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107829133A | 公开（公告）日 | 2018-03-23 |
| 申请公布号 | CN107829133A | 申请公布日 | 2018-03-23 |
| 分类号 | C30B11/10;C30B29/16;C30B29/32 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东 | 申请（专利权）人 | 沈阳旭日晶体科技有限公司 |
| 代理机构 | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 屈芳 |
| 地址 | 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于新材料领域，为一种焰熔法数控晶体生长炉，包括:晶体生长系统，包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内，用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆，通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构；原料供应系统，包括锥形原料仓，在所述原料仓内设置筛网，所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构；燃料供应系统，通过管线连接至生长室；数字控制系统，向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号，并用于设置控制参数。本发明能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体，如钛酸锶、金红石等单晶体。 |
