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镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN201110071813.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102136573A 公开（公告）日 2011-07-27
申请公布号 CN102136573A 申请公布日 2011-07-27
分类号 H01M4/48(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴晓梅;曾小勤;丁文江;李德江;李斐;张思 申请（专利权）人 深圳交大华源新兴技术产业研究院有限公司
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 毛翠莹
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法，该正极材料是经过杂多酸修饰的四价钼酸镁，按质量百分比，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％。本发明中的四价钼酸镁，其化学结构式为：Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1，制备方法是采用镁的化合物、钼的化合物、活性炭为原料，氩气为保护气体，经高温固相反应法制备得到四价钼酸镁粉末，然后用杂多酸进行修饰，得到一种镁二次电池的正极材料。该正极材料具有良好的电化学充放电行为，与目前镁二次电池较为理想的正极材料Mo3S4相比，其制备方法简单易行、成本低、具有高比容量和优良循环可逆性能，有显著的实用价值和经济效益。