发光半导体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111323277.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113782658B | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN113782658B | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐晓丽;李惠芸;刘芳;孙雷蒙;杨丹 | 申请（专利权）人 | 华引芯（武汉）科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 邓寅杰 |
| 地址 | 436000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号（自贸区武汉片区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及了一种发光半导体及其制备方法，该发光半导体包括：衬底以及沿靠近衬底方向顺序层叠于衬底上的发光结构、电流扩展层、电介质层和反射层，其特征在于，电介质层设有若干第一通孔以及围设一周的凹槽，若干第一通孔和凹槽均贯穿电介质层，凹槽沿封闭图形的边界周向延伸，凹槽将若干第一通孔围设在封闭图形的边界内，反射层的周缘落于凹槽内。本发明可以利用凹槽防止金属层在光刻胶周缘聚集，避免后续膜层覆盖后出现断裂；另外，凹槽能和第一通孔一样起到导通作用，并且不影响绝缘层整体的厚度，能让绝缘层保持最佳厚度，既不会影响亮度的提取，也不会影响电极导通。 |
