一种热沉及其制备方法、半导体激光器系统
基本信息
| 申请号 | CN202110385325.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113131333A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113131333A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01S5/024（2006.01）I;H01S5/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 袁磊;刘晓雷;郭学文;潘华东;闵大勇 | 申请（专利权）人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛异荣 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种热沉及其制备方法、半导体激光器系统，所述热沉具有相对的第一面和第二延展面，所述第一面包括第一台阶承载面至第N台阶承载面，第k台阶承载面与第k+1台阶承载面相邻，第一台阶承载面的高度至第N台阶承载面的高度依次递增，第一台阶承载面底部的第二延展面的高度至第N台阶承载面底部的第二延展面的高度依次递增，N为大于或等于2的整数，k为大于或等于1且小于或等于N－1的整数。所述热沉能实现小型化、轻量化。 |
