首页/ 天津巴莫科技有限责任公司/ 专利详情

一种双结构共晶碳包覆正极材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN201810562815.7 申请日 -
公开（公告）号 CN108682825B 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN108682825B 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01M4/36;H01M4/58;H01M4/583;H01M10/054 分类 基本电气元件;
发明人 宋英杰;徐宁;伏萍萍;马倩倩 申请（专利权）人 天津巴莫科技有限责任公司
代理机构 - 代理人 -
地址 300348 天津市滨海新区滨海高新技术产业园区（环外）海泰大道8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种双结构共晶碳包覆正极材料及其制备方法，首先通过砂磨、喷雾干燥以及焙烧处理等工艺手段，利用二次造粒控制技术以及高温固相控制结晶反应，得到了一次粒子亚微米化，二次颗粒微米化球形化层状TiS2和尖晶石Ti2S4共晶的复合材料；然后利用有机碳源的高温原位分解在共晶复合材料表面包覆了一层导电碳黑。本发明制备的材料比容量高，结构稳定性好，循环性能优异，采用了一次粒子亚微米化，二次颗粒微米化球形结构设计，不仅提高了复合材料的加工性能，而且可以仅在二次颗粒表层包碳，有效降低了碳的包覆量。