水冷装置及单晶硅生长炉

基本信息

申请号 CN201820384023.0 申请日 -
公开(公告)号 CN208038587U 公开(公告)日 2018-11-02
申请公布号 CN208038587U 申请公布日 2018-11-02
分类号 C30B15/00;C30B29/06 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 申请(专利权)人 包头市山晟新能源有限责任公司
代理机构 北京律智知识产权代理有限公司 代理人 阚梓瑄;王卫忠
地址 014100 内蒙古自治区包头市土右旗萨拉齐镇新型工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提出一种水冷装置及单晶硅生长炉。本实用新型的水冷装置用于单晶硅生长炉,包括法兰盘、管道、内导流筒、外导流筒和导流筒夹层。法兰盘,设于炉体顶部,炉盖设于所述法兰盘上,法兰盘设有能与外界连通的进水口和出水口。管道设于炉内并沿竖直方向呈环状,以形成供单晶硅棒伸入的水套,管道的一端与进水口连通,另一端与出水口连通。内导流筒设于水套外部,内导流筒外部还设有外导流筒,内导流筒与外导流筒形成导流筒夹层。使用本实用新型的水冷装置,能提高单晶硅的生长速度,提高产量。