具有过流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202011536960.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112615532A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112615532A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | H02M1/088(2006.01)I;H02H7/12(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 王颇;王超;李卢毅;姜哲;杨志达;董海星;张俐 | 申请（专利权）人 | 扬州曙光光电自控有限责任公司 |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 | 代理人 | 薛云燕 |
| 地址 | 225131江苏省扬州市金港路100号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有过流保护功能的多级大电流MOSFET驱动电路，包括一级驱动电路、过流检测电路、二级驱动电路和并联设置的两个MOSFET；一级驱动电路用于进行过流检测，一级驱动电路的端口IN接收控制侧的PWM信号；端口CS与过流检测电路连接，进行过流判断；端口FAULT将过流信号反馈到控制侧，发出过流警报；过流检测电路用于检测流过MOSFET的电流大小，并将电流数据传输至一级驱动电路；二极驱动电路输入侧与一级驱动电路连接，输出侧与MOSFET的栅极连接，用于驱动MOSFET。本发明外围电路简单，集成度高，提升了伺服驱动器的功率密度，提高了MOSFET驱动电路的安全性。 |
