LED侧面钝化层质量的测试结构及测试方法
基本信息
| 申请号 | CN201210054565.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102569122B | 公开（公告）日 | 2014-12-24 |
| 申请公布号 | CN102569122B | 申请公布日 | 2014-12-24 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 戴炜锋;李越生;周颖圆;李抒智;马可军 | 申请（专利权）人 | 上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 代理机构 | 上海晨皓知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢刚 |
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。 |
