超低压低功耗永久性OTP存储器
基本信息
| 申请号 | CN201910881739.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110827909A | 公开（公告）日 | 2020-02-21 |
| 申请公布号 | CN110827909A | 申请公布日 | 2020-02-21 |
| 分类号 | G11C17/16;G11C17/18 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 彭泽忠;毛军华 | 申请（专利权）人 | 四川凯路威科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都惠迪专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 四川凯路威科技有限公司 |
| 地址 | 621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路133号A412 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 超低压低功耗永久性OTP存储器，涉及存储器技术。本发明包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容，选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点，选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接，检测MOS管的第一工作端连接第二位线，作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间，其特征在于，所述电容为本征MOS管的栅电容。本发明的有益效果是，无需电压提升电路即可实现低至0.6V的读取电压，显著的降低了功耗。 |
