硅芯制备方法和硅芯制备设备
基本信息
| 申请号 | CN202110259705.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113061988A | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN113061988A | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 孙强;张邦洁;尹杏;陈辉;万烨;张晓伟 | 申请（专利权）人 | 洛阳中硅高科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杜德海 |
| 地址 | 100038北京市海淀区复兴路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种硅芯制备方法和硅芯制备设备，硅芯制备方法包括以下步骤：A）将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；B）对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和C）加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。因此，通过利用根据本发明实施例的硅芯制备方法，从而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的电阻率。 |
