一种低温碳包覆多孔硅复合负极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010166721.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111653735A | 公开（公告）日 | 2020-09-11 |
| 申请公布号 | CN111653735A | 申请公布日 | 2020-09-11 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵东辉;周鹏伟;白宇;李二威 | 申请（专利权）人 | 深圳市翔丰华科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人 | 深圳市翔丰华科技股份有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华新区龙华街道清祥路1号宝能科技园9栋C座20楼J单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种低温碳包覆多孔硅复合负极材料及其制备方法，通过先将商用SiO2经喷雾干燥得到微米级SiO2粉体，再经铝热还原、酸洗、干燥得到多孔硅粉，最后以有机物为碳源在Si表面包覆碳层得到硅碳复合负极材料。该方法操作简单、易于控制，成本可控，适合大规模生产。制得的电极具有高容量、高倍率和良好的循环性能，适用于锂离子电池。 |
