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一种新型高密度安装TO-220型半导体封装

基本信息

申请号 CN202110815087.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113451239A 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN113451239A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 夏乾华;曾志敏 申请（专利权）人 鑫金微半导体（深圳）有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518125广东省深圳市宝安区新桥新二东环路438号工业园综合楼3楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构，包括壳体、基岛框架、引脚，所述壳体上设置有通孔，该通孔设置在壳体的上端，所述壳体包括有胶体封装，所述壳体的胶体封装至少高于所述通孔中心点，所述基岛框架设置在壳体内,基岛金属框架背面金属露出以便散热,正面壳体呈台阶形式,靠近通孔位置的台阶处壳体较靠近引脚的壳体薄。本发明提供一种增大基岛框架胶体面积，在半导体封装有限空间面积内可以放置更多的元件或半导体晶圆,又利于产品工作时散热,同时方便用户锁螺丝紧固散热器的一种新型高密度安装TO‑220型半导体封装结构。