一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202110816844.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451153A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451153A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/42（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏乾华 | 申请（专利权）人 | 鑫金微半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518125广东省深圳市宝安区新桥新二东环路438号工业园综合楼3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种大功率集成电路半导体或模块的封装方法。通过提供中空灌注高比热容物质作为半导体集成电路或模块封装的金属封装外壳，进而在其基础上进行封装，此方法可以支持提高大功率集成电路模块半导体或模块成品的PD耗散功率,提高产品的可靠性。 |
