一种大功率集成电路半导体或模块的主动调温封装方法

基本信息

申请号 CN202110816846.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113451154A 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN113451154A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L23/38(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 夏乾华 申请(专利权)人 鑫金微半导体(深圳)有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518125广东省深圳市宝安区新桥新二东环路438号工业园综合楼3楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种大功率集成电路半导体或模块的主动降温设计封装方法。通过大功率发热量大的晶圆放置在含有高导热性能的复合封装外壳或框架上,该复合封装外壳或框架含有半导体制冷片,此方法可以降低大功率半导体集成电路或模块的工作温度的,提高产品的可靠性。