一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011640584.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112759608A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112759608A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | C07F7/21 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 蒲云平;莫杰;冯晓青;赵强;胡通;纪淼;宁红锋 | 申请（专利权）人 | 有研国晶辉新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 金铭 |
| 地址 | 065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种八甲基环四硅氧烷中金属杂质的去除设备及工艺，包括将待纯化的八甲基环四硅氧烷与吸附剂及萃取剂混合，进行吸附‑萃取反应；所述吸附‑萃取反应结束后，静置分层，将上层清液分离至精馏塔中进行精馏提纯，即得到高纯度八甲基环四硅氧烷。本工艺利用极性溶剂更易溶解极性物质的原理，采用极性溶剂从非极性溶剂八甲基环四硅氧烷中萃取金属杂质，并采用吸附剂吸附极性溶剂中的金属杂质，使萃取平衡向极性溶剂中转移，然后再经静置分层，分离出上层八甲基环四硅氧烷。本发明的工艺避免了吸附的金属杂质脱附，从而获得了稳定的金属杂质去除效果，而且还减少了后续精馏的难度，具有节省能耗的优点。 |
