一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺
基本信息
申请号 | CN202010048096.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111254400A | 公开(公告)日 | 2020-06-09 |
申请公布号 | CN111254400A | 申请公布日 | 2020-06-09 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 屠国力;田楠;张国亮;丁璇;姜鹏飞;李学银;王晋锋 | 申请(专利权)人 | 武汉依麦德新材料科技有限责任公司 |
代理机构 | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 武汉依麦德新材料科技有限责任公司 |
地址 | 430014湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城A5北区4栋7层701单元39座 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种基于磁控溅射的挠性覆铜工艺,其步骤包括:在衬底上依次制备一次交联薄膜和二次交联薄膜,自然冷却后,采用磁控溅射法,于所述二次交联薄膜表面溅射沉积导电线路。本发明通过控制亚胺化反应和交联反应的温度变化速率,使两次所制得的交联薄膜的表面粗糙度产生差异,使较粗糙的二次交联薄膜表面更易溅射沉积金属,且沉积效果牢固,采用磁控溅射所做出的金属层也更加轻薄;同时两次所制得的交联薄膜的热膨胀系数维持在较低水平,有利于金属的长期附着。 |
