一种半导体桥芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910400769.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110137090A | 公开（公告）日 | 2019-08-16 |
| 申请公布号 | CN110137090A | 申请公布日 | 2019-08-16 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/762 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张威;李宋 | 申请（专利权）人 | 北京足智科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100086 北京市海淀区大钟寺东路9号1幢B座1层119-84室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体桥芯片及其制备方法，其特征在于：在SOI基片的顶层单晶硅内掺杂元素，改变其电学性质，并涂覆光刻胶，刻蚀出桥区；去掉光刻胶，在SOI上表面溅射铝，再次使用光刻法刻蚀出电极区域，并腐蚀掉未被光刻胶保护的铝膜；去掉光刻胶，将半导体桥芯片在氮气环境下退火处理。本发明提供的半导体桥芯片，简化了工艺流程，不再限制于低压力化学气相沉积法加工多晶硅的工艺能力，大大提高了桥区的设计灵活性，可进行各种厚度、尺寸、电阻值的半导体桥芯片的生产，增加桥区点火可靠性。 |
