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一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构

基本信息

申请号 CN201220622498.1 申请日 -
公开（公告）号 CN203057079U 公开（公告）日 2013-07-10
申请公布号 CN203057079U 申请公布日 2013-07-10
分类号 H03F3/08(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 莫太山;唐思敏 申请（专利权）人 嘉兴泰鼎光电集成电路有限公司
代理机构 杭州浙科专利事务所（普通合伙） 代理人 吴秉中;陶圣如
地址 314100 浙江省嘉兴市嘉善县晋阳东路568号科创中心四号楼4407室
法律状态 -

摘要

摘要 一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，属于光通信物理层集成电路领域，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区、第六版图区、第七版图区、第八版图区、第九版图区、第十版图区、第十一版图区、第十二版图区、第十三版图区、第十四版图区、第十五版图区、第十六版图区、第十七版图区和第十八版图区。版图主要分为上、中上、中、中下、下和四周六部分。本实用新型通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计，更好地实现了基于RF-CMOS工艺的宽带光通信跨阻放大器的低噪声、高带宽等电路功能。