一种抛光垫及半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111089592.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113524022B | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN113524022B | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | B24B37/22（2012.01）I;B24B37/24（2012.01）I;B24B37/26（2012.01）I;B24B37/005（2012.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L21/3105（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 黄学良;邱瑞英;杨佳佳;张季平;朱顺全 | 申请（专利权）人 | 湖北鼎龙控股股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430057湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括使用具有特定图案的抛光垫对半导体晶片表面进行研磨的工序；本发明还公开了一种抛光垫，所述抛光垫包括抛光层，抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，抛光单元的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一个方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一个方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光层还具有凹坑，且包括第一部分凹坑和第二部分凹坑；本发明抛光垫限定抛光单元面积比，凹坑面积占比，体积比等参数在合适范围时，具有优异的综合性能。 |
