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抛光垫、研磨设备及半导体器件的制造方法

基本信息

申请号 CN202111103638.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113547450B 公开（公告）日 2022-01-07
申请公布号 CN113547450B 申请公布日 2022-01-07
分类号 B24B37/22（2012.01）I;B24B37/24（2012.01）I;B24B37/26（2012.01）I;B24B37/005（2012.01）I;B24B49/00（2012.01）I;H01L21/3105（2006.01）I 分类 磨削；抛光;
发明人 黄学良;王淑芹;王欢;杨佳佳;张季平;朱顺全 申请（专利权）人 湖北鼎龙控股股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 430057湖北省武汉市经济技术开发区东荆河路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了涉及半导体的化学机械抛光技术领域的抛光垫、研磨设备及半导体器件的制造方法。所述抛光垫具有抛光面，在抛光面上至少设置：一条以上的环形沟槽和一条以上的放射状沟槽，所述环形沟槽与放射状沟槽连通，所述环形沟槽两两不相交；沿抛光面中心向外周缘方向，环形沟槽的深度逐渐减小，放射状沟槽的深度逐渐减小。利用本发明所提供抛光垫，抛光液利用率高、抛光速率高，且研磨速率不均一性小；同时能保证抛光过程产生的废屑和废液等的及时排出以及新抛光液的及时进入。