一种肖特基二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910708545.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110534583A | 公开（公告）日 | 2019-12-03 |
| 申请公布号 | CN110534583A | 申请公布日 | 2019-12-03 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任娜 | 申请（专利权）人 | 山东天岳电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王素花 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区美里湖办事处邹庄南 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，用以解决PN结设置不合理的问题。肖特基二极管包括衬底、外延层以及金属层。外延层形成于衬底上，为第一导电类型的区域；外延层背离衬底的一侧设有若干第二导电类型的区域，第二导电类型的区域与第一导电类型的区域之间形成PN结；其中，第二导电类型的区域包括若干第一区域和第二区域，第一区域沿外延层表面的宽度大于第二区域的宽度，每两个相邻的第一区域之间设有若干第二区域，第一区域按照第一预设间隔排布，第二区域按照第二预设间隔排布；金属层形成于外延层背离衬底的一侧，外延层的表面除第二导电类型的区域之外的区域，与金属层形成肖特基结。 |
