一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910707755.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110571281A | 公开（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申请公布号 | CN110571281A | 申请公布日 | 2019-12-13 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）; H01L29/868（2006.01）; H01L21/329（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任娜 | 申请（专利权）人 | 山东天岳电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王素花 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区美里湖办事处邹庄南 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法，混合PiN结肖特基二极管包括：等离子扩散层和半导体区域；半导体区域设置在外延层表面的下方；半导体区域包括：多个元胞，每一个元胞包括：一个第一区域和多个第二区域；等离子扩散层设置在外延层表面的下方，且等离子扩散层包括多个等离子扩散通道，每一个等离子扩散通道连通两个元胞中的第一区域，并穿过元胞中各第二区域；第一区域、多个第二区域、等离子扩散层与外延层构成混合PiN结肖特基二极管的PN结。本申请能够提高混合PiN结肖特基二极管的抗浪涌电流能力。 |
