一种半导体量子点器件
基本信息
| 申请号 | CN202120434495.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214378456U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214378456U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L29/66（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孔伟成;张辉;赵勇杰 | 申请（专利权）人 | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 230088安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体量子点器件，包括硅基底；位于所述硅基底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上形成有离子注入窗口，其中，所述离子注入窗口用于向所述硅基底注入离子；位于所述二氧化硅层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有与所述注入离子欧姆接触的欧姆电极；位于所述二氧化硅层上的量子点窗口，所述量子点窗口位于所述欧姆电极之间且裸漏出所述二氧化硅层；位于所述量子点窗口内的第一金属电极和磁体，其中，所述第一金属电极层叠布置，所述第一金属电极用于形成量子点，所述磁体用于对所述量子点进行调控。通过在所述量子点窗口内形成层叠的第一金属电极，可以对第一金属电极的尺寸和相对位置进行调整，提高了量子点参数的可调性。 |
