半导体量子点器件和计算机

基本信息

申请号 CN202120274509.0 申请日 -
公开(公告)号 CN214378455U 公开(公告)日 2021-10-08
申请公布号 CN214378455U 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L29/66(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 孔伟成;张辉;赵勇杰 申请(专利权)人 合肥本源量子计算科技有限责任公司
代理机构 - 代理人 -
地址 230088安徽省合肥市合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种半导体量子点器件的结构和计算机,结构包括:形成有第一离子区和第二离子区的硅基底;位于所述硅基底上的电介质层,所述硅基底和所述电介质层的界面形成载流子通道;与所述第一离子区欧姆接触的第一电极,及与所述第二离子区欧姆接触的第二电极;位于所述电介质层上的限制电极,所述限制电极用于将载流子限制在所述载流子通道以形成量子点;以及磁性电极,所述磁性电极用于在所述界面形成磁场梯度并用于操控所述量子点。本申请的半导体量子点器件采用的磁性电极相对较小,具有结构优势,易于集成,而且通过所述磁性电极施加微波信号进行调控,电场操控能力较强。