一种硅片热氧化湿氧工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010923895.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111986993A | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN111986993A | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 仝泉;周晓飞;田献立;刘丽娟 | 申请（专利权）人 | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 洛阳公信知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 麦斯克电子材料有限公司 |
| 地址 | 471000河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的一种硅片热氧化湿氧工艺，包括构建硅片热氧化湿氧工艺过程高纯水加注量确定的步骤和方法，具体包括在氧化炉炉管后部设置计量泵和气体喷头；通过计量泵将高纯水注入气体喷头；气体喷头将注入的高纯水雾化成水汽注入氧化炉炉管，水汽进入氧化炉炉管后，分解成氢气和氧气，与硅片发生反应，在硅片表面形成氧化膜；通过调整计量泵注入氧化炉炉管内纯水的量控制硅片表面氧化膜的生长厚度。本发明提高了硅片氧化湿氧工艺的安全可靠性，减少了湿氧过程引入污染的几率，通过控制计量泵注入纯水的流量和湿氧工艺时间，可精准控制硅片氧化工艺氧化膜的生长厚度。 |
