一种SOI键合工艺后衬底片的再生加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202110460955.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192823A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113192823A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 熊诚雷;赵文龙;李战国;胡晓亮;邵奇 | 申请（专利权）人 | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 郑州豫鼎知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 轩文君 |
| 地址 | 471000河南省洛阳市高新区滨河北路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于集成电路单晶硅抛光片回收加工技术领域，具体涉及一种SOI键合工艺后衬底片的再生加工方法。该方法包括以下步骤：将回收的SOI衬底片进行脱模和清洗‑对衬底片进行正面抛光‑对衬底片进行第一次清洗‑对衬底硅片进行平整度均匀性、厚度测试‑对衬底片进行第二次清洗。本发明的再生加工方法实现了对SOI键合工艺后衬底片的回收，使衬底片重新达到具有表面高质量水平的衬底硅片，可以在SOI键合工艺中循环多次使用，实现加工成本远远低于购买新衬底硅片的价格。 |
