一种硅片背面损伤层自动计数的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910655466.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110533149B | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN110533149B | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | G06M11/00（2006.01）I;G06T7/00（2017.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 仝泉;刘丽娟;田献立;周晓飞 | 申请（专利权）人 | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 代理机构 | 洛阳公信知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗民健 |
| 地址 | 471000河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片背面损伤层自动计数的方法，包括构建硅片背损伤计数数据库进行线性拟合的步骤和对硅片进行检测和修正的步骤，具体包括在显微镜上加装电荷耦合器件镜头；拍摄硅片背面损伤层图片；图像处理软件对拍摄图片的硅片背面损伤个数进行计数；将硅片背面损伤个数的图像处理软件计数与硅片背面损伤个数的图像处理软件人工精确计数进行关联存储；重复对多个硅片背面损伤层进行处理，建立硅片背损伤计数数据库；利用线性拟合对的硅片背损伤计数数据库进行处理，得到图像处理软件计数的回归分析修正方程；对待测硅片背面损伤层进行拍摄、计数，并通过回归分析修正方程对计数结果进行修正。本发明提高了硅片背面损伤层的计数效率。 |
