一种终端结构、半导体器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110651513.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299745A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299745A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L29/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人 | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 帅进军 |
| 地址 | 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种终端结构、半导体器件及制作方法，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽为阶梯型，包括第一深度区和第二深度区；第一深度区填充有介电材料，介电材料中插入有第一电极，第二深度区填充有多晶硅场板；第一掺杂区上设置有第二电极，第二电极分别与多晶硅场板和第一电极连接。该阶梯型沟槽的终端结构，多晶硅场板构成一级场板，可以防止第一体区与漂移区形成的PN结被提前击穿，第一电极构成二级场板，可以防止第一深度区的底部角落处被提前击穿，该终端结构的沟槽表面电场分布更加均匀，在提升终端结构耐压的同时，使终端结构的面积大幅减小。 |
