一种终端结构、半导体器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110651512.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299744A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299744A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L29/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人 | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 帅进军 |
| 地址 | 519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种终端结构、半导体器件及制作方法，终端结构包括第一导电类型的漂移区，漂移区设置有沟槽、第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的第一体区，沟槽包括第一深度区、第二深度区和第三深度区；第一深度区填充介电材料，介电材料中插入第一电极，第二深度区设置有第一多晶硅场板；第一多晶硅场板和第一电极连接第二电极，第三深度区设置有第二多晶硅场板，掺杂区和第二多晶硅场板上设置截止环。该终端结构，第一多晶硅场板防止第一体区与漂移区形成的PN结被提前击穿，第一电极防止第一深度区的底部角落处被提前击穿，第二多晶硅场板防止击穿发生在截止环。该结构在提升终端结构耐压的同时，使终端结构的面积减小。 |
