一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件
基本信息
| 申请号 | CN202120354474.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214152908U | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN214152908U | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王洪;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人 | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址 | 519031广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-69243（集中办公区） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种浮空结构与沟槽分立的沟槽栅IGBT器件，包括：集电极金属；第一导电类型的集电区，位于集电极金属的上表面；第二导电类型的场截止层，位于第一导电类型的集电区的上表面；第二导电类型的漂移区，位于第二导电类型的场截止层的上表面；沟槽结构，位于第二导电类型的漂移区内；第一导电类型的浮空区，位于沟槽结构之间，且第一导电类型的浮空区与沟槽结构不相交叠；发射极金属，覆盖于整个器件的上方；所述第一导电类型的浮空区与发射极金属之间设有隔离介质层。本实用新型提高了IGBT在开通过程中的dv/dt控制能力，降低了开关过程中的EMI干扰，同时可以兼顾提高IGBT的器件耐压。 |
