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一种具有浮空结构的沟槽栅IGBT器件

基本信息

申请号	CN202120329605.0	申请日	-
公开（公告）号	CN214152907U	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN214152907U	申请公布日	2021-09-07
分类号	H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王洪;林泳浩;李伟聪	申请（专利权）人	珠海市浩辰半导体有限公司
代理机构	深圳市中科创为专利代理有限公司	代理人	彭西洋;袁曼曼
地址	519031广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-69243（集中办公区）
法律状态	-

摘要

本实用新型公开一种具有浮空结构的沟槽栅IGBT器件，包括集电极金属；第一导电类型的集电区，位于集电极金属上表面；第二导电类型的场截止层，位于第一导电类型的集电区上表面；第二导电类型的漂移区，位于第二导电类型的场截止层上表面；沟槽结构，位于第二导电类型的漂移区内，沟槽结构包括沟槽，以及宽部、窄部，宽部包括宽部电极；第一导电类型的浮空区，位于沟槽结构之间；发射极金属，覆盖于整个器件的上方；第一导电类型的浮空区与发射极金属之间经第一介质层隔离；宽部电极与发射极金属等电位。本实用新型降低IGBT的米勒电容，减少开关时间，提高IGBT在开通过程中的dv/dt控制能力，降低开关过程EMI干扰，提高IGBT器件耐压。