埋层终端结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110695201.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314600A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314600A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人 | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘自丽 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种埋层终端结构及其制备方法，其中，埋层终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体埋层和N+型半导体场限环，P‑型半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；绝缘介质层，设于N‑型半导体漂移区的上表面，分别与P型半导体场限环的部分上表面、P‑型半导体埋层的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触，与P‑型半导体埋层的接触区设有接触孔；第一场板，通过接触孔与P‑型半导体埋层接触。本申请可以使埋层终端结构在高温下不容易击穿，可靠性和稳定性更好。 |
