复合终端结构
基本信息
| 申请号 | CN202121395001.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215183974U | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN215183974U | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁 | 申请（专利权）人 | 珠海市浩辰半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘自丽 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种复合终端结构，该复合终端结构包括N‑型半导体漂移区，N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体VLD区和N+型半导体场限环，P‑型半导体VLD区的一侧面与P型半导体场限环的部分另一侧面共面，P型半导体场限环的宽度大于或等于N+型半导体场限环的宽度；P‑型半导体VLD区中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度；一个或间隔的多个第一场板，自P‑型半导体VLD区的上表面向外延伸，第一场板覆盖绝缘介质层的部分上表面并填充接触孔。相对于传统VLD终端，本申请可实现在高温下可靠性更好，不易受制造工艺线引入的表面固定电荷影响。 |
