一种高压快恢复二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202020640850.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212010985U | 公开（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申请公布号 | CN212010985U | 申请公布日 | 2020-11-24 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何豆豆 | 申请（专利权）人 | 泉州市北极星服装贸易有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362100福建省泉州市惠安县螺城镇惠泉北路135号广电局住宅区3栋1梯201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高压快恢复二极管芯片，包括二极管芯片本体，所述二极管芯片本体内壁的底部设置有P型层，所述P型层的顶部设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层的顶部设置有透明导电层，所述透明导电层的顶部设置有P型电极，所述P型电极的顶端固定连接有N型层，所述N型层的顶部固定连接N型电极，所述二极管芯片本体一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚。该高压快恢复二极管芯片，通过采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流，本实用新型具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。 |
