铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN200910145177.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101665905A | 公开（公告）日 | 2010-03-10 |
| 申请公布号 | CN101665905A | 申请公布日 | 2010-03-10 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C30B28/12(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 沈鸿烈;唐正霞;鲁林峰;漆海平;江丰 | 申请（专利权）人 | 江西斯若普能源有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 唐小红 |
| 地址 | 210016江苏省南京市白下区御道街29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种用铝诱导在低温下制备多晶硅薄膜的方法，制备的多晶硅薄膜晶粒达100微米以上且表面光滑平整。包括如下过程：(1)在衬底上沉积非晶硅薄膜2；(2)继续生成二氧化硅薄膜；(3)继续沉积铝薄膜，得到衬底/a-Si/SiO2/Al叠层；(4)将衬底/a-Si/SiO2/Al叠层置于真空退火炉中，在惰性气氛保护下，分三步退火；(5)用铝腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝。本发明是一种在廉价的衬底上低温制备大晶粒，并且结晶取向和表面粗糙度可控的多晶硅薄膜的方法，在薄膜太阳能电池等领域有广阔的应用前景。 |
