一种锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010364056.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111443404A 公开(公告)日 2020-07-24
申请公布号 CN111443404A 申请公布日 2020-07-24
分类号 G02B1/113(2015.01)I;C03C17/00(2006.01)I 分类 -
发明人 姜海;侯强;刘瑞斌 申请(专利权)人 沈阳北理高科技有限公司
代理机构 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 代理人 张君男;宋铁军
地址 110044辽宁省沈阳市大东区东站街59号378幢401
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于光学薄膜领域,具体涉及一种锗基底8‑12um红外窗口片及其制备方法。窗口片以单晶锗为基底,基底的两侧均镀有单层的增透膜结构,两侧膜结构的入射角均定义为0°±10°。其制备方法是先对基片进行擦拭放置到镀膜机中,再将增透膜材料预熔,再采用真空热蒸发法进行镀膜,单晶锗基底的两侧分别镀有1层增透膜结构,增透膜为硫化锌材料时膜层厚度为1.083‑1.162um,增透膜为KRS‑6材料时膜层厚度为1.090‑1.145um。该窗口片可应用到8‑12um红外探测系统中,也可以用到夜视仪中,因其镀膜设计简单,镀膜材料选择普通,膜层牢固度高等优点,大大降低了窗口片制作的周期与成本。