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一种复合内钝化层双沟槽结构大功率整流器件应用芯片

基本信息

申请号 CN201811046979.0 申请日 -
公开（公告）号 CN110890416A 公开（公告）日 2020-03-17
申请公布号 CN110890416A 申请公布日 2020-03-17
分类号 H01L29/06;H01L29/41 分类 基本电气元件;
发明人 冯亚宁;曹孙根;黄志祥;朱浩然;汪海波 申请（专利权）人 安徽微半半导体科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 247000 安徽省池州市池州经济技术开发区双龙路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种复合内钝化层双沟槽结构大功率整流器件应用芯片，芯片台面为两并列的双沟槽设计，芯片上层掺杂层为P型掺杂层，下掺杂层为衬底N型掺杂层，在上下掺杂层表面电镀金属层，沟槽侧面和底部采用纳米级的氧化膜以及多晶硅加氮化硅加特种玻璃组份材质的钝化膜对芯片P/N结进行保护，双沟槽钝化膜依次层叠有纳米级微高纯度氧化层、多晶硅薄膜、氮化硅薄膜、玻璃层，双沟槽设计改善了切割对沟槽侧面和底部钝化层带来的损伤，复合钝化层物质使本发明的芯片具有500℃结温特性，提高了芯片可靠性和稳定性。