一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片
基本信息
| 申请号 | CN201811046696.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110890415A | 公开（公告）日 | 2020-03-17 |
| 申请公布号 | CN110890415A | 申请公布日 | 2020-03-17 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯亚宁;曹孙根;黄志祥;朱浩然;汪海波 | 申请（专利权）人 | 安徽微半半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 247000 安徽省池州市池州经济技术开发区双龙路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片，芯片台面的采用单沟槽设计，沟槽内壁表面采用复合内钝化层结构，复合内钝化层由多晶硅膜以及底层高纯度纳米级氧化膜、氮化硅膜、玻璃组成。芯片由中间层单晶半导体本体、上层为P型硼结区和下层为N型磷结区的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层。本发明解决了芯片沟槽采用玻璃作为钝化层的保护膜的可靠性差和高温特性差的问题。 |
