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一种大功率IGBT多功能封装结构及其方法

基本信息

申请号	CN202010489055.9	申请日	-
公开（公告）号	CN111627874B	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN111627874B	申请公布日	2021-09-14
分类号	H01L23/367;H01L23/38;H01L23/31;H01L21/48;H01L29/778	分类	基本电气元件;
发明人	王新强;潘庆波;李娜;杨玉珍;刘文;王丕龙	申请（专利权）人	青岛佳恩半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	马尚伟
地址	266000 山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种大功率IGBT多功能封装结构及其方法，包括基板，所述基板的顶部设置有IGBT模块，所述基板的底部设置有连接块，通过设置连接块、第一绝缘板、N型半导体、P型半导体、第一导电块、第二导电块和第二绝缘板，并在连接块内部填充散热硅脂加强第一绝缘板与基板的贴合程度，第一导电块通过第一导线连接发射极引线，第二导电块通过第二导线连接集电极引线，在IGBT模块通电后，第三导电块与第一导电块和第二导电块处形成珀尔帖效应，第三导电块处的温度降低，第一导电块和第二导电块的温度升高，通过散热块和散热片将温度传递出去，从而使大功率IGBT多功能封装结构具有了主动散热的功能，使IGBT模块能快速降温的效果。