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一种超薄衬底外延生长装置及制备方法

基本信息

申请号 CN202110827150.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113529165A 公开（公告）日 2021-10-22
申请公布号 CN113529165A 申请公布日 2021-10-22
分类号 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王新强;杨玉珍;王丕龙;张永利;赵旺;朱建英 申请（专利权）人 青岛佳恩半导体有限公司
代理机构 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 代理人 刘丹
地址 266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于外延生长装置技术领域，本发明提供了一种超薄衬底外延生长装置及制备方法，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分，一种超薄衬底外延生长设备的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将晶圆底衬放入支撑拖架内，并使所述支撑拖架旋转；步骤二、通过驱动电动伸缩杆调整调域加热装置照射加热所述晶圆底衬，使得两个所述调域加热装置的照射面积一之和正好覆盖整个所述晶圆底衬表面，从而使得晶圆底衬的受热更加的均匀，使得外延生长厚度更加的均匀。