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一种超薄衬底外延生长装置

基本信息

申请号 CN202121665698.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215440758U 公开（公告）日 2022-01-07
申请公布号 CN215440758U 申请公布日 2022-01-07
分类号 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王新强;杨玉珍;王丕龙;张永利;赵旺;朱建英 申请（专利权）人 青岛佳恩半导体有限公司
代理机构 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 代理人 刘丹
地址 266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于外延生长装置技术领域，本实用新型提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分，本实用新型通过在调域加热装置底部设置凹透镜，通过凹透镜将电加热灯一的点光源通过折射转化为近似平行光源的方法，尽量减少由于电加热灯一的电磁波一叠加的影响使晶圆底衬中心区域温度高于其他区域的问题，从而使得晶圆底衬的整体温度趋于平均，提高外延生长的后的均匀度，从而提高产品处的芯片质量和成品率。