一种碳化硅单晶体生长装置及其方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种碳化硅单晶体生长装置及其方法

基本信息

申请号	CN202010422243.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111501095B	公开（公告）日	2021-03-05
申请公布号	CN111501095B	申请公布日	2021-03-05
分类号	C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王新强;王丕龙;潘庆波;杨玉珍;刘文	申请（专利权）人	青岛佳恩半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	郝雅娟
地址	266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种碳化硅单晶体生长装置及其方法，包括反应装置组件、提升装置组件和气压控制组件，在气压控制组件内设置调节装置组件，第一气泵将惰性气体充入储气瓶，第三感应线圈对惰性气体进行加热，开启第一控制阀将储气瓶内加热的惰性气体输入到装置内部，改善了现有的PVT法温度场变化导致的晶体生长缺陷过多的问题，在提升装置组件中设置电机、减速机、连接块、丝杆、第二斜面齿轮和第三斜面齿轮，电机带动第三斜面齿轮转动，第三斜面齿轮带动第二斜面齿轮转动，第二斜面齿轮啮合丝杆，丝杆带动连接块向上运动，连接块带动籽晶托平台装置向上平稳运动，从而使碳化硅单晶体生长装置具有了保持籽晶所在的温区稳定，晶体生长速度块的效果。