一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备及方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备及方法

基本信息

申请号	CN202110885830.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113561053A	公开（公告）日	2021-10-29
申请公布号	CN113561053A	申请公布日	2021-10-29
分类号	B24B37/10（2012.01）I;B24B37/11（2012.01）I;B24B37/30（2012.01）I;B24B37/34（2012.01）I;B24B37/005（2012.01）I;B24B47/12（2006.01）I;B24B47/14（2006.01）I;B24B57/02（2006.01）I;B24B57/00（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I	分类	磨削；抛光;
发明人	王新强;王丕龙;杨玉珍;朱建英;赵旺	申请（专利权）人	青岛佳恩半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹
地址	266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备及方法，包括安装平台，安装平台包括台面板，台面板顶部的中央转动连接有旋转送料台，旋转送料台的轴体穿过台面板底部与传送电机的输出轴固定连接，传送电机固定安装于台面板的底部，一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备的制备方法，包括以下步骤：1对碳化硅晶圆底衬进行清洁；2正性光刻胶将晶圆底衬正面覆盖进行加固；3底衬背部减薄，本发明通过控制器控制调节液压缸并配合螺纹杆和升降筒的结构设置，从而调整筛选翼板的高低位置，从而筛选金刚石研磨液中的大颗粒金刚石，可效避免含金刚石颗粒的减薄基底在减薄碳化硅过程中由于粘合剂表面露出的金刚石造成深浅不一的划痕，提高成品率和成品质量。