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一种沟槽式栅极IGBT结构

基本信息

申请号	CN202121735088.3	申请日	-
公开（公告）号	CN215731729U	公开（公告）日	2022-02-01
申请公布号	CN215731729U	申请公布日	2022-02-01
分类号	H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王丕龙;王新强;杨玉珍;张永利;刘文	申请（专利权）人	青岛佳恩半导体有限公司
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹
地址	266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态	-

摘要

本实用新型提供了一种沟槽式栅极IGBT结构，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路区和n+发射区，n型衬底的顶部开设有沟槽，沟槽位于n+发射区，沟槽的内壁设置有栅极氧化层，栅极氧化层上设置有栅极多晶层，栅极多晶层的顶部设置有氧化层，解决了目前沟槽式栅极IGBT结构存在的内部的应力会导致硅片碎片率增加、芯片良率低的问题以及在进行离子注入的过程中沟槽的侧壁经常出现包括注入损伤以及注入杂质散射造成的沟道表面浓度波动的问题，导致IGBT器件性能发生变化的问题。