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一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件

基本信息

申请号 CN202110912253.6 申请日 -
公开（公告）号 CN113675086A 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN113675086A 申请公布日 2021-11-19
分类号 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王丕龙;王新强;张永利;刘文 申请（专利权）人 青岛佳恩半导体有限公司
代理机构 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 代理人 刘丹
地址 266000山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成P+集电层、N+电场阻止层和N型漂移区；步骤S2，通过干法刻蚀对N型漂移区进行刻蚀出第一沟槽，完成后将半导体硅片进行清洗；步骤S3，通过高温化学气相沉积法在第一沟槽的内壁生长一层槽壁介质层并进行退火处理，完成后对槽壁介质层的内部进行填充形成源级介质层；优化器件制造步骤，在沟槽进行离子注入前，清理不必要的杂质，避免对器件进行干扰。