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一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法

基本信息

申请号 CN202010016697.7 申请日 -
公开（公告）号 CN111197181B 公开（公告）日 2021-04-30
申请公布号 CN111197181B 申请公布日 2021-04-30
分类号 C30B33/02;C30B29/36 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王丕龙;王新强 申请（专利权）人 青岛佳恩半导体有限公司
代理机构 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 代理人 沙莎
地址 266000 山东省青岛市城阳区城阳街道长城路89号10号楼7楼713室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种高纯度超薄碳化硅衬底制备方法，碳化硅制备技术领域，取三组等份的碳化硅原料，经气流粉末磨粉机破碎处理，将破碎后的碳化硅原料通过直线振动筛进行筛选，将步骤S1得到的碳化硅原料加入搅拌桶，并加入等量去离子水搅拌均匀，将三组等份的碳化硅原料装入密封腔内，并抽取真空、除杂后充入保护气体，该方式解决了现有技术在石墨坩埚中并没有进行分阶段的进行加热，在不同制备步骤下，如何进行分阶段的二次高温加工得技术问题，对经过加热的高质量碳化硅单晶进行二次高温快速退火加工，从而获得的超薄碳化硅单晶衬底品质好且加工方法简单，效率较之现有技术更高。