电压基准产生电路

基本信息

申请号 CN201922373092.9 申请日 -
公开(公告)号 CN210924312U 公开(公告)日 2020-07-03
申请公布号 CN210924312U 申请公布日 2020-07-03
分类号 G05F1/567 分类 -
发明人 朱乐永 申请(专利权)人 上海芯圣电子股份有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201616 上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路,属于电路设计领域。本实用新型包括Trim电路和n个串联连接NMOS管,Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,使在设定温度点时为0,第1个NMOS管的源极接地,第n个NMOS管的漏极输入基准电流,第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF,T表示温度,VGS表示NMOS管的栅源之间的电压,n为大于2的正整数。本实用新型还可以根据常用室温,确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,进而省略了Trim电路,在常用室温时使用。