电压基准产生电路
基本信息
申请号 | CN201922373092.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN210924312U | 公开(公告)日 | 2020-07-03 |
申请公布号 | CN210924312U | 申请公布日 | 2020-07-03 |
分类号 | G05F1/567 | 分类 | - |
发明人 | 朱乐永 | 申请(专利权)人 | 上海芯圣电子股份有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 201616 上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路,属于电路设计领域。本实用新型包括Trim电路和n个串联连接NMOS管,Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,使在设定温度点时为0,第1个NMOS管的源极接地,第n个NMOS管的漏极输入基准电流,第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF,T表示温度,VGS表示NMOS管的栅源之间的电压,n为大于2的正整数。本实用新型还可以根据常用室温,确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比,进而省略了Trim电路,在常用室温时使用。 |
