一种基于MRAM的低功耗MCU电路专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于MRAM的低功耗MCU电路

基本信息

申请号	CN202010613440.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111796539A	公开（公告）日	2020-10-20
申请公布号	CN111796539A	申请公布日	2020-10-20
分类号	G05B19/042	分类	控制；调节;
发明人	朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明	申请（专利权）人	上海芯圣电子股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201600 上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室
法律状态	-

摘要

一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极、反馈电阻和电容，输入端子连接功率管的源极，误差放大器的输出连接功率PMOS的栅极，反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本发明提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。