一种基于MRAM的低功耗MCU电路
基本信息
| 申请号 | CN202021240884.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212658957U | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN212658957U | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | G05B19/042(2006.01)I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 | 申请（专利权）人 | 上海芯圣电子股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201600上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极、反馈电阻和电容，输入端子连接功率管的源极，误差放大器的输出连接功率PMOS的栅极，反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本实用新型提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。 |
